科学家发现，垂直磁场使半导体中的电中性准粒子(激子)表现得像霍尔效应中的电子。这一发现将有助于研究人员研究激子和玻色-爱因斯坦凝聚体。
该研究成果已发表在《物理评论快报》(Physical Review Letters)中。
霍尔效应可以通过在垂直于半导体或金属板的电流方向上施加磁场来实现。在这种情况下，所有的电子都会向一侧偏转，这将积累负电荷，而另一侧则带正电荷。这导致板的左右端面之间的电压。
俄罗斯圣彼得堡国立信息技术机械与光学大学(ITMO)的研究人员最近在激子和复合中性准粒子中发现了类似的效应。例如，在磁场存在的情况下，当激光影响砷化镓半导体板时，就会发生这种情况。这种新现象被称为反常激子霍尔效应。
这种效应将有助于研究人员区分亮激子和暗激子。当激子气体形成时，一旦电子回到原处，一些激子就能发光。这种准粒子被称为亮激子。其他激子没有发光就消失了——这些是暗激子。
虽然研究和获取这两种激子特别困难，因为两种类型的准粒子是同时产生的，但是所提出的分离亮激子和暗激子的方法将成功地解决这个问题。
对于这一新发现的物理现象，研究人员称所发现的效应不太可能像智能手机中使用的霍尔效应技术那样广泛应用，但它对研究激子的科学家来说可能非常有价值。
编译/前瞻经济学人APP资讯组
论文链接：
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.126.036801
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