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《自然》子刊:硅芯片达到物理极限,新二维材料将继续维持摩尔定律

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宾夕法尼亚州立大学的研究人员在《自然通讯》(Nature Communications)上报道了一项研究成果,表明二维材料可以用来制造传统上由硅制成的更小、更高性能的晶体管。

硅是一种已经用于制造晶体管60年的三维材料,目前几乎已经达到了其物理极限,这使得它在晶体管中的应用越来越具有挑战性。

过去的研究表明,二维材料作为一种替代物,可以比目前实际使用的硅技术薄10倍。

在这项研究中,研究人员使用了金属有机化学气相沉积技术来生长单层二硫化钼和二硫化钨。

为了了解新的二维晶体管的性能,研究人员分析了与阈值电压、亚阈值斜率、最大与最小电流之比、场效应载流子迁移率、接触电阻、驱动电流和载流子饱和速度有关的统计测量。

研究人员表示,测试证实了新晶体管的可行性,证明该技术现在可以推进到制造和开发阶段。并称“这些新晶体管可以使下一代计算机更快、更节能,并能够处理和存储更多数据。”

编译/前瞻经济学人APP资讯组

论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41467-020-20732-w


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